Платформа для GISAXS 2.0
Исследование наноструктурированных поверхностей и тонкопленочных образцов
Ключевые особенности
Измерения в режиме GISAXS подразумевают анализ поверхностных наноструктур и тонкопленочных образцов, когда рентгеновский луч падает на анализируемый образец под небольшим углом, очень близким к углу полного отражения. Это нужно для того, чтобы основа (подложка), на которой находятся поверхностные наноструктуры, не давала своего вклада в профиль рассеяния. Реализация GISAXS режима измерения требует очень точной регулировки угла размещения образца по отношению к падающему рентгеновскому лучу.<br>
<br>
Измерения в режиме GISAXS позволяют получить представительную информацию о наноструктурах поверхности на большой площади образца. Режим GISAXS практически не требует никакой предварительной пробоподготовки, а измерения можно проводить как в вакууме, так и в контролируемой атмосфере (воздух, интертные газы). Платформа GISAXS 2.0 от Anton Paar это высокоточная моторизованная платформа. Образцы могут наклоняться и поворачиваться с высочайшей точностью в температурном диапазоне от -150 °C до +500 °C.<br>
<br>
Измерения в режиме GISAXS позволяют получить представительную информацию о наноструктурах поверхности на большой площади образца. Режим GISAXS практически не требует никакой предварительной пробоподготовки, а измерения можно проводить как в вакууме, так и в контролируемой атмосфере (воздух, интертные газы). Платформа GISAXS 2.0 от Anton Paar это высокоточная моторизованная платформа. Образцы могут наклоняться и поворачиваться с высочайшей точностью в температурном диапазоне от -150 °C до +500 °C.<br>
Быстрые и точные исследования в режиме скользящего падения с моторизованной платформой GISAXS 2.0
SAXS системы от Anton Paar, SAXSpoint 2.0 и SAXSpace, могут быть легко оснащены платформой высокого разрешения GISAXS 2.0 для GISAXS/GIWAXS/GIXD (grazing-incidence SAXS/WAXS/дифракция) исследований. Она может быть очень точно позиционирована в направлениях X, Y и Z. Образцы могут наклоняться и поворачиваться с помощю встроенного вращателя вокруг оси Z с повторяемостью вращения 0.001°.
Платформа GISAXS 2.0 от Anton Paar это отличный инструмент для характеризации, к примеру, мезопористых тонких пленок, наночастиц осаденных на поверхность, металлы осажденные на поверхности оксидов, а также для таких мягких материалов, как тонкие пленки полимеров/блок сополимеров и биологических материалов, прикрепленных к поверхностям.
Расширение измерительных возможностей с GISAXS Модулем Нагрева 2.0
Платформа GISAXS 2.0 может использоваться при температурах до +500 °C, если её оснастить Модулем Нагрева 2.0. Этот модуль представляет собой кожух над образцом, что позволет исследовать Ваш образец в обычных условиях и нестандартных условиях, например, на воздухе, в инетном газе или в вакууме.
Низкотемпературные GISAXS эксперименты вплоть до -150 °C
Модуль Нагрева/Крио для GISAXS 2.0 позволяет проводить измерения в диапазоне температур от -150 °C до +350 °C. Этот модуль легко устанавливается на платформу GISAXS 2.0 и гарантирует превосходную температурную гомогенность на всей поверхности образца, чтобы Вы могли проводить оптимальные GISAXS/GIWAXS исследования. SAXS система автоматически распознает платформу для образца, как только Вы её установите.
Технические характеристики
| Диапазон температур | от -150 °C до +500 °C |
| Точность поддержания температуры | +/-0.1 °C |
| Размер образца | до 100 мм x 100 мм |
| Наклон образца | от -4° до +5.6° |
| Вращение образца | от 0° до 345° |
